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BD135中文资料

BD135图片

BD135外观图

  • 大小：122.44KB
  • 厂家：ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
  • 描述：Silicon NPN Power Transistors
  • 其它有关文件：BD135 View All Specifications
  • 标准包装：50
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：1.5A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：45V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：40 @ 150mA，2V
  • 功率 - 最大：1.25W
  • 频率 - 转换：-
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3
  • 供应商设备封装：SOT-32
  • 包装：管件
  • 其它名称：BD135ST

BD135供应商

更新时间:2023-01-08 19:54:21
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